Rebasar en el drenaje MOSFET

+1 para el siguiente hack.

TL082 es un opamp lento con corriente de salida anémica. Es perfecto para otros usos, pero aquí ... 3MHz GBW, velocidad de giro de 13V / µs. No debe esperar que algo con un ancho de banda de 3 MHz haga algo útil en la ventana de tiempo de 150 ns que menciona ... además, su corriente de salida es pequeña, no puede conducir una carga de 100 ohmios, así que no cuente con ello para empujar corriente en la puerta capacitiva del FET con cualquier entusiasmo ...

Ahora dice que este es un generador de funciones, pero tiene una impedancia de salida variable: cuando el FET inferior está activado, entonces su impedancia de salida está cerca de 0R. Cuando está apagado, es la impedancia de salida no especificada y dependiente de la frecuencia del drenaje del FET inferior y el FET superior controlado por el opamp.

Si pretende conducir un cable 50R con esto, podría tener problemas.

Ahora, tienes varias opciones:

El opamp + MOSFET es un regulador de voltaje, y generalmente en la salida de estos, se agregan capacitores para limpiar la respuesta transitoria, porque el circuito de retroalimentación no es infinitamente rápido. Tenga en cuenta que incluso con un opamp más rápido, deberá trabajar con cuidado en la compensación de frecuencia para que sea estable.

O puedes matar el planeta: usa un par diferencial como interruptor. O dos MOSFET con accionamiento complementario. Esto tira la corriente a tierra cuando no está en uso, y la envía a la carga cuando está en uso. Por lo tanto, la cantidad de corriente extraída de la tensión de referencia es siempre la misma, y no tendrá problemas de ajuste.

También tenga en cuenta que podría usar un FET más pequeño y rápido para reducir el disparo capacitivo.

Con referencia a la imagen de abajo:

El rebasamiento se debe al acoplamiento capacitivo de puerta a drenaje de Q3. Estás bajando la puerta de la Q3, para apagarla. El drenaje lo seguirá por un breve tiempo.

El segundo rebasamiento tiene la misma explicación. Si necesitas encender el MOSFET, elevarás la puerta. Esto aparecerá también en el drenaje, debido al acoplamiento capacitivo.

Una solución es intentar usar un MOSFET con un Cgd mucho más pequeño.

El primer rebasamiento es diferente: mucho más lento y con una amplitud pequeña. Cuando Q3 está ENCENDIDO, el U1A operativo pone su salida muy alta, de modo que Q2 tiene la sobremarcha requerida Vov = Vgs-Vth para conducir la corriente que fluye a R4 y Q3.

Cuando repentinamente apagas Q3, el MOSFET Q2 no requerirá tanta sobrecarga (necesitará una sobrecarga de casi 0), porque casi ninguna corriente fluirá. El amplificador OP debe ajustar la salida, pero tiene un ancho de banda y una velocidad de respuesta finitas. Por lo tanto, tendrá un pico igual a Vov en la salida (y durará hasta que finalice el transitorio debido al ancho de banda finito y la tasa de rotación).

Para tal caso, es posible que necesite alguna compensación. O un amplificador OP diferente.