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Estoy resolviendo problemas en el análisis DC de circuitos MOSFET. Se supone que debemos encontrar varios parámetros como Id (corriente de drenaje) y voltajes en varios nodos como Vg (Voltaje de compuerta).
Los MOSFETS utilizados son ambos NMOS (tipo de mejora de n canales)
En mi libro, en lo que respecta a los circuitos de primer tipo, Vg viene dado por
Vg = [R3 / (R2 + R3)] * Vdd
El valor de Vg para el primer circuito es correcto.
El segundo circuito tiene un carril negativo (también llamado Vdd) y aquí es donde se encuentra la confusión. Usted podría considerar que el voltaje en la compuerta es el doble del primer circuito, pero en relación con -5V.
Vdd - (- Vdd) = 2 * Vdd = 10V porque Vdd solo es de 5V. Esto y la fórmula de divisor de potencial estándar le da un voltaje de puerta en relación con el riel de -5V.
Pero, debido a que el voltaje de la compuerta es más sensiblemente referenciado a 0V, entonces se debe restar Vdd para que Vg sea relativo a 0V en lugar de -5V.
En realidad notarás que esas dos ecuaciones SON iguales después de un poco de limpieza.
En lugar de 0, -5 o -Vdd, llamaremos Vss de voltaje más bajo. Ahora, así es como debería verse la ecuación:
$$ Vg = \ frac {R3} {R2 + R3} \ times (Vdd- (Vss)) + Vss $$
La primera parte de la ecuación aplica un divisor de voltaje al potencial total de Vdd-Vss. En el segundo caso, se puede ver que 5v a -5v es una diferencia de 10v entre los rieles y que 10v es lo que se divide entre R2 y R3. Ese Vss adicional en el extremo se debe a que cualquier voltaje en R3 se agregará al voltaje de referencia, Vss.
Si sustituye 0 o -Vdd por Vss, respectivamente, debería obtener las ecuaciones 1 y 2.