Aprendí sobre las fuentes actuales de BJT y MOSFET en mi libro de texto, pero se usan en chips IC. ¿Es posible hacer nuestras propias fuentes actuales utilizando BJT como dos transistores 2N2222 en la configuración de espejo actual? ¿Realmente funciona bien o tendrá defectos con respecto a la relación de aspecto como en el caso de las fuentes actuales de MOSFET?
Tendrá defectos y funcionará muy bien. Depende de cuáles sean sus especificaciones. Hay mucha literatura disponible sobre el diseño de los espejos actuales.
Los principales problemas de los espejos de corriente discretos, en comparación con las implementaciones monolíticas, como lo sugiere en su pregunta, son la densidad de corriente desigual si los usa en una proporción diferente a 1, y la diferencia de temperatura entre los dispositivos.
Por lo general, los espejos de corriente discreta están diseñados para una caída de voltaje mucho mayor en la resistencia del emisor que los monolíticos, por lo general, 1 voltio es suficiente, aunque más mejoran las especificaciones. Esta caída de tensión adicional desborda las diferencias de Vbe que crearán la densidad de corriente y la temperatura. A menudo, las resistencias del emisor pueden omitirse por completo en implementaciones monolíticas.
Entre las mejoras que debe tener en cuenta al leer la literatura, verifique la configuración del cable del transistor 'diodo conectado', puede mejorar la impedancia de salida usando una configuración de código de área, puede mejorar la precisión y la estabilidad térmica usando una del op-amp a la corriente de servo en la resistencia emisora del dispositivo de salida: puede abaratar el costo de la precisión de la relación de transferencia usando un diodo, en lugar de un transistor conectado a diodo
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