Cuando se conectan a las fuentes de voltaje ideal , asuma que pueden hundirse y proporcionar suficiente corriente para mantener sus voltajes. Eso significa que \ $ V_ {B} \ $ es \ $ V_ {IN} \ $ y \ $ V_ {E} \ $ es GND. Entonces, \ $ V_ {BE} \ $ es simplemente \ $ V_ {IN} \ $.
Ahora para \ $ V_ {OUT} \ $, que \ $ V_ {CE} \ $, que por supuesto no es lo mismo que \ $ V_ {CESAT} \ $, que es típico \ $ V_ {CE} \ $ en saturación.
$$ V_ {CESAT} $$
$$ if \ quad B_ {F} (V_ {IN} - V_ {BESAT}) / ((B_ {F} +1) (R_ {PB} + R_ {PE})) > (V_ {IN} - V_ {BESAT} + V_ {CESAT}) / (R_ {C} + R_ {PC}); $$
$$ V_ {DD} - (R_ {C} + R_ {PC}) B_ {F} (V_ {IN} - V_ {BESAT}) / ((B_ {F} +1) (R_ {PB } + R_ {PE})) $$
$$ if \ quad de lo contrario $$
\ $ R_ {PB} \ $ es resistencia de base parásita, \ $ R_ {PE} \ $ es resistencia de emisor parásito y \ $ R_ {PC} \ $ resistencia de colector parasitice. Por lo general, son de 0,5 a 1,5 ohmios, por lo que solo es útil tenerlos en cuenta cuando BJT se está fallando en el modo actual. Como ahora que la base y el emisor están conectados directamente a las fuentes.
Para un cálculo aún más preciso, \ $ V_ {CESAT} \ $ y \ $ V_ {BESAT} \ $ son solo los límites mínimos y máximos, tomados como una sola entidad, que \ \ V_ {CE} \ reales $ y \ $ V_ {BE} \ $ pueden tomarse en saturación dadas las fórmulas actuales de los modelos Ebers-Moll o Gummel-Poon. Esto puede no ser tan preciso como comenzar con dichos 2 modelos anteriores y usar Convergencia, Métodos Numéricos o Motores Simbólicos, pero esto es lo suficientemente bueno para determinar las regiones y modos en que se encuentran los transistores.
EDITAR:
Por el modelo Ebers-Moll, no me refiero al habitual:
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Me refiero a la completa:
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No se pudieron adjuntar las imágenes ya que son SVG. Tampoco me molestaré en escribirlo.
