Esta pregunta se refiere a mi pregunta anterior .
Me interesa derivar una relación analítica para la frecuencia de oscilación de este oscilador.
Comoprimerpaso,heiniciadolassimulacionesdedominiodefrecuenciaylosresultadossonlossiguientes.Paraverelefectodelafrecuenciadeoscilación,barríelvalordeC2de0.5pFa6pF(laoscilaciónsemantienedentrodeesterango).
ElmodelodeCAes:(LascapacidadesdeMosfetseextraendelahojadedatos)
LafaseylasmagnitudesdevoltajesenelinductorsecundarioyVoltajedecompuertasonlassiguientes.Hemarcadoresonanciascercanasalafrecuenciadeoscilación.Serealizansimulacionesparadiferentesvaloresdecondensadorsecundariode0.5pFy5PF.Enamboscasossepuedenvertresresonancias(digamosf1,f2yf3)
CuandoC2=5pF(lafrecuenciadeoscilaciónenlasimulacióndeldominiodetiempoes8.3MHz)
CuandoC2=0.5pF(lafrecuenciadeoscilaciónenlasimulacióndeldominiodetiempoes25.1MHz)
Apartirdeestosresultados,sepuedeverquelasresonanciasenlasimulacióndeCAylasfrecuenciasdeoscilaciónsonsignificativamentediferentes,particularmenteparalasfrecuenciasaltas.
Mispreguntasson:
- ¿MeestoymoviendoenladireccióncorrectaconelmodelodeCAsimulado?
- ¿CuálespodríanserlasrazonesdelasdisparidadesentreelmodelodeACylassimulacionesdedominiodetiempo?
- EntiendoquelascapacitanciasdeMosfetpuedenvariarconlafrecuenciaylosvoltajes.Además,ciertascapacitanciaspuedennoserefectivasdurantetodoelperíododeoscilación(cuandoelinterruptorestácompletamenteencendido).¿Cómopuedomodelarlascapacidadesdemosfetenestecircuito?
- Mientrasestoydesviandoeltransistorlosuficienteparainiciarlaoscilación(Vt0=4.486VyV(sesgo)=4.26V),¿podemosasumirquemosfetproporcionauncambiodefasede180grados?¿CómopuedoincorporarestoenlasimulacióndeAC?
Unaactualización
Encontréunanálisissimilarparaunosciladorligeramentediferenteen" clase-e mosfet procedimiento de diseño del oscilador de potencia sintonizado " . En el análisis, han medido las condiciones de los mosfets en la frecuencia de interés y se conoció el cambio de fase introducido por el mosfet (la fase de la mierda fue de 196 grados en su estudio). Si puedo aproximar estos parámetros ((es decir, Cgs, Cgd, Cds y el cambio de fase introducido por el MOSFET) en cada frecuencia de oscilación, debería poder obtener un análisis (más bien un semi-analítico) forma de solución.
¿Existe un método basado en simulación que pueda aproximar las capacitancias MOSFET y el cambio de fase introducido por la etapa del amplificador?
Actualización 2
Intentando expresar la expresión de ganancia de bucle
Primero, intenté simplificar la red acoplada para el componente de frecuencia fundamental de la siguiente manera.
Cuandolaimpedanciareflejadasecalculacomo(Mijrepresentalainductanciamutuaentreelinductoriyjth)
Ahora mi objetivo es escribir ecuaciones de ganancia de bucle para obtener las condiciones de oscilación Pero no estoy seguro de cómo debo diferenciar el amplificador y la red de retroalimentación
