Si la capa de agotamiento de una unión de base / colector de transistores es gruesa, ¿por qué se siguen recolectando la mayoría de los transportistas?

  

Pensé que la unión colector-base tenía polarización inversa, lo que significa   que el campo eléctrico creado por el sesgo externo se suma a la   ¿barrera potencial? ¿Cómo es que los agujeros atraviesan espontáneamente este enorme   barrera potencial?

El potencial incorporado detiene la corriente de difusión debido a mayoría de los transportistas que se difunden de un lado a otro. Por ejemplo, los electrones en el material N se difundirían al material P (donde se volverían a combinar) si no fuera por el potencial incorporado. Para la mayoría de los transportistas, el potencial construido es una barrera.

Pero en el material N de la base, los orificios son portadores minoritarios y, por lo tanto, el potencial incorporado no es una barrera en absoluto. Si existe un agujero en la base lo suficientemente largo, puede ser barrido a través de la unión del colector de la base polarizado en sentido inverso por el campo eléctrico que se encuentra allí y en la región del colector.

Cuando la unión del emisor de la base está "encendida", se inyectan muchos orificios en la región de base delgada y ligeramente dopada, por lo que existe una gran fracción de los orificios inyectados el tiempo suficiente para "deslizar" el potencial hacia la región del colector. donde sean portadores mayoritarios.