¿Habría algún problema con poner dos MOSFET de canal P en serie para duplicar el voltaje de operación máximo para la fuente de drenaje? Los diodos del cuerpo cuando se usan de esta manera deberían actuar como los diodos ordinarios colocados en serie para manejar más voltaje, ¿correcto?
Hay un par de problemas que debes tener en cuenta.
En primer lugar, debe asegurarse de que comparten la tensión de bloqueo por igual. Al igual que con los diodos, debe colocar resistencias de alto valor en paralelo con sus terminales de drenaje y fuente, de modo que la corriente a través de las resistencias sea del orden de 10 × la corriente de fuga inversa de los transistores (o diodos). Esto igualará las caídas de voltaje dentro del 10% aproximadamente. Además, la velocidad de los dispositivos individuales puede variar un poco, por lo que también es una buena idea colocar condensadores (generalmente de 1 a 10 nF en aplicaciones de frecuencia de línea, menos en frecuencias más altas) en paralelo con ellos, para dominar el transitorio comportamiento.
El segundo gran problema es que la unidad de la compuerta de cada transistor debe estar relacionada con el terminal fuente de ese transistor; no pueden compartir una conexión común. Dependiendo de la aplicación, puede usar transformadores, optoaisladores o circuitos integrados de controlador de lado alto especializados para permitir que cada una de las señales de la unidad de la puerta flote en relación con todas las demás.
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