Este dispositivo existe, aunque no está fácilmente disponible en cantidades de una sola unidad, sus amplificadores de salida se interpondrán en su camino y es muy no lineal.
Es un MOSFET de puerta flotante, usado en memoria Flash, EEPRom y el ilk. La carga de programación puede ser variable aunque algo impredecible, ya que la tunelización FN (Fowler Nordheim) será variable a través del dado. Si bien no es lineal, es un efecto proporcional, por lo que podría imaginar el diseño de un circuito que linealiza el efecto de programación (de Vth shift). Será estable durante semanas o meses, por lo que cumple con los requisitos de horas que usted dice que necesitaría.
Pero mucho depende de las especificaciones que necesite, cuánta desviación es aceptable, etc.
Para que quede claro, estoy hablando de que el dispositivo / transistor individual no es el componente completo, ya que los circuitos de soporte de Flash evitarán que opere las celdas de esta manera.
Aquí hay 3 referencias de un EDN artículo que habla sobre una compañía llamada GTronix que fue adquirida por National Semi (ahora TI).
Lee, BW, BJ Sheu y H Yang, “Sinapsis analógicas de compuerta flotante para computación neural VLSI de propósito general”, Transacciones IEEE en circuitos y sistemas, Volumen 38, Número 6, junio de 1991, pág. 654.
Fujita, O e Y Amemiya, "Un dispositivo de memoria analógica de puerta flotante para redes neuronales", Transacciones IEEE en dispositivos electrónicos, Volumen 40, Número 11, noviembre de 1993, pág. 2029.
Smith, PD, M Kucic y P Hasler, “Programación precisa de matrices de puertas flotantes analógicas”, Simposio Internacional IEEE sobre Circuitos y Sistemas, Volumen 5, mayo de 2002, pág. V-489.
Hay otra clase de dispositivo que se llama transistor MNOS (Metal Nitride Oxide Semiconductor) en el que hay dos dieléctricos en la puerta, uno de los cuales es Si3N4 que tiene muchas trampas. Este dispositivo funciona de manera muy similar a la celda flash anterior.