Modelo de dos puertos de un BJT

Hay muchos modelos para transistores. Por lo general, tratamos de hacerlos lo más simples posible.

La primera ilustración usa rin y \ $ g_m \ $ como los parámetros principales. Como estos dependen del punto de polarización, este modelo es más útil para los amplificadores de CA con un punto de polarización relativamente fijo.

El segundo modelo incluye los cuatro parámetros híbridos. Estos son útiles en una amplia gama de corriente. El término \ $ h_ {re} \ $ rara vez es lo suficientemente grande como para ser un problema, nunca he necesitado incluirlo para amplificadores prácticos, solo al responder a las preguntas de la tarea. Utilizaría este modelo cuando diseñe amplificadores de baja frecuencia y modifique los amplificadores de transistores de polarización.

O para amplificadores de RF y microondas, abandonar el enfoque basado en el modelo de componentes por completo y utilizar los parámetros S funciona mejor. Nuevamente estos son sesgos dependientes.

Tenga en cuenta que en todos los casos, el transistor hace lo que hace el transistor. Todo lo que cambia es cuál de sus características elegimos modelar y cuál ignoramos. Todos los modelos son incorrectos, pero algunos modelos son útiles.