Soy relativamente nuevo en electrónica y acabo de entender el concepto de tapas de bypass y algunas prácticas comunes de desacoplamiento (para que tenga una idea de mi nivel general), pero parece que no puedo entender el propósito de sección circular de este circuito:
Como dije, soy muy nuevo en electrónica, así que no seas demasiado duro conmigo, es probable que sea algo obvio que me falta. O no.
Esto parece ser su fuente, o una fuente - Amplificador de RF de banda ancha
¿Es esta tu fuente de imagen? - Si no, por favor avisa dónde.
Su explicación es cercana a la mía en los comentarios anteriores. Noté que la ruta R2 R3 L2 proporciona retroalimentación negativa con impedancia que aumenta con la frecuencia, lo que disminuye la retroalimentación y aumenta la ganancia, como lo señalan.
Dice
Este es un diseño de amplificador de RF clásico.
Las resistencias de realimentación R3 y R2 definen la ganancia.
Al cambiar los valores, podemos obtener una ganancia más alta en las frecuencias bajas, pero esto influirá en la disminución general de la ganancia del amplificador.
La bobina L2 se utiliza para obtener más ganancia en las frecuencias altas.
Si el valor aumenta, se producirá inestabilidad.
Mi suposición L2 anterior fue solo parcialmente correcta. Dicen:
Las dimensiones de L2 son: 6 devanados, el diámetro interno es de 3 mm y el grosor del alambre debe ser de 0,4 mm. En el tipo de prototipo que utilicé y el tipo SMD para L1, asegúrese de que sea una bobina Q alta.
Mi evaluación original:
R2, R3, R4 juntos proporcionan un sesgo de CC.
La especificación en L2 PUEDE significar, por ejemplo, 6 vueltas de ancho x 3 capas de profundidad en un formador de algunas unidades de 0.4, o algo más :-).
Sin C3, habría adivinado que era simplemente un estrangulamiento de RF para evitar la realimentación de RF PERO cuando C3 pasa por alto a R2 y como R2 es > > R3 sugiere que está destinado a permitir la retroalimentación de RF controlada por R3 & L2.
Es una retroalimentación negativa por lo que estabilizaría la ganancia.
Podría decirse que R3 L2 tiene un efecto dependiente de la frecuencia y la impedancia aumenta con la frecuencia, pero es amplia en la puerta del establo.
R2 / 3/4 junto con R1 / 5 proporcionan el sesgo de DC. La corriente del colector a través de R1 y la corriente del emisor a través de R5 estabilizan el sesgo.
C3 cortocircuita a R2 en RF, de modo que R3 puede controlar la ganancia de baja frecuencia.
L2 aumenta la impedancia de la ruta de realimentación de la señal a medida que aumenta la frecuencia. Este es un método bastante común para "elevar" la ganancia a frecuencias más altas. Los transistores tienen una ganancia relativamente baja y cierta capacitancia parásita, por lo que la resistencia de realimentación R3 tiene un efecto limitado en el control de la ganancia, y la ganancia de bucle cerrado se está quedando sin vapor en el extremo superior del rango. L2 también tiene el efecto de desactivar algunos de los transistores C a altas frecuencias, aunque este efecto es bastante pequeño, en ninguna parte casi resonante, debido al efecto de-Qing de R3 en L2.