Los mosfets del lado bajo funcionarán bien con 6v en la puerta, pero conducir los mosfets superiores con 6v va a causar problemas.
En un puente N-mosfet, la conducción de los mosfets superiores con el mismo nivel de voltaje que la tensión de drenaje (en este caso 6v) los sobrecalentará porque funcionarán en un estado semiconductor.
Cuando aplicas 6v a la puerta del mosfet superior, aplicas un Vgs de 6v PERO tan pronto como el mosfet comienza a conducir, el voltaje en la fuente aumenta (se vuelve más positivo) y, a medida que aumenta, Vgs se vuelve más y más bajo (ya que Vgs se refiere a la fuente y no al suelo) hasta que el mosfet alcance un equilibrio. Ese punto de equilibrio está relacionado con el Vgs-th y mantendrá al mosfet en un estado medio abierto.
Hay dos fuerzas que mantienen este equilibrio, si el mosfet intenta conducir más, entonces la fuente se volverá más positiva y Vgs disminuirá, si por otro lado trata de conducir menos entonces Vgs aumentará.
Para evitar este problema con un N-mosfet como interruptor de lado alto, debe usar una fuente de alimentación aislada que se aplicará entre la fuente y la puerta y se agregará sobre el voltaje existente o un voltaje más alto que el que está conectado al drenaje (si no está disponible, se puede generar con un circuito bootstrap).
Ya que tiene 6v en la puerta, sería una buena idea usar aproximadamente 6v + 5v en la puerta de los mosfets superiores. Una fuente de 12v sería muy conveniente si estuviera disponible.
Otra opción es usar P-mosfets como interruptores laterales altos en el puente.
Un traductor de nivel que usa un solo transistor (acción sin inversión) es como:
simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab
Y también está la solución mosfet (también sin inversión)
simular este circuito
