Cambia cuando \ $ V_ {be} \ $ aumenta en npn transistor

La declaración del libro es correcta. Cuando aumenta el voltaje de la unión entre la base y el emisor, la corriente de electrones inyectada en la base (y, por lo tanto, la corriente del colector) aumenta, pero también la corriente del orificio inyectada desde la base en el emisor aumenta de manera similar a una unión pn aislada. Esta corriente de agujero suele ser la causa dominante de la corriente de base que fluye hacia la base. Por lo tanto, la corriente del colector y la corriente de base aumentan proporcionalmente entre sí cuando aumenta el voltaje del emisor de base.

Puede tomar en consideración la fórmula Ic = Is exp (Vbe / Vt), por lo que, obviamente, si Vbe aumenta, la corriente del colector aumenta, y si el transistor está directamente activo, puede usar la fórmula Ic = beta Ib, así que obviamente si Ic sube, Ib también sube.

Usted tiene razón y el libro está equivocado si se interpreta de la siguiente manera. La mayoría de los portadores emisores en un BJT NPN son electrones que se inyectan en la base. Los orificios de la base cruzan la unión b-e y se recombinan como portadores minoritarios con electrones en el emisor, al igual que los electrones se recombinan como portadores minoritarios en la base con los orificios de portadores mayoritarios, lo que da como resultado una corriente de base y un beta finito.

Sin embargo, el libro se refiere a los portadores minoritarios tanto en el emisor como en la base y, como tales, son agujeros en el emisor y electrones en la base. Por lo tanto, tanto usted como el libro tienen razón si cada uno se refiere a las corrientes correctas, minoritarias o mayoritarias, en base y en emisor.