NMOS a conversión de resistencia

MOSFET son resistencias. La medida en que el canal conduce la corriente se determina por la construcción del MOSFET y el voltaje en la compuerta. Un tipo de agotamiento MOSFET se conducirá sin que se aplique voltaje a la compuerta, y requerirá un voltaje para aumentar la resistencia del canal, mientras que para un tipo de mejora es solo lo contrario.

Los MOSFET en modo de agotamiento son dispositivos que proporcionarán una caída de voltaje cuando la corriente se extraiga a través de ellos. Se pueden usar en lugares donde se requeriría algo como una resistencia pull-up, pero no actúan como una resistencia típica. Una resistencia típica, a lo largo de su rango de operación útil, disminuirá un voltaje proporcional a la corriente. Una resistencia de 10Kohm bajará diez voltios por miliamperio, o diez milivoltios por microampo. Por el contrario, un MOSFET en modo de agotamiento puede caer un voltio a 100uA, pero caer 0.5 voltios a 75uA, o 3 voltios a 120uA.

Un voltaje aplicado a la compuerta reducirá el ancho del canal de drenaje de fuente. Menos ancho / espacio para fluir significa menos corriente. Eso es lo mismo que la función de una resistencia. Es tan simple como eso.