Alta resistencia de entrada - FET

Para un MOSFET, la alta resistencia de entrada es causada por la capa de aislamiento entre la puerta y el canal (azul en la imagen):

La capa está hecha de SiO \ $ _ 2 \ $, que tiene una extremadamente alta resistencia de 10 \ $ ^ {16} \ $ Ω \ $ \ cdot \ $ m, y es una De los mejores aisladores existentes.

Eso significa que la tensión aplicada a la compuerta no tiene camino a seguir, por lo que no habrá ninguna corriente, aparte de una pequeña corriente de fuga ( no a través de SiO \ $ _ 2 \ $ ). Los opamps de entrada MOSFET pueden tener resistencias de entrada tan altas como 10 \ $ ^ {13} \ $ Ω.

La resistencia determina la cantidad de corriente que fluye cuando se aplica un cierto voltaje. Alta resistencia significa menos corriente (al mismo voltaje). Ohms law, google si aún no lo entiendes.

La resistencia de entrada es la resistencia equivalente de la entrada (en el caso de un FET, entre la compuerta y el drenaje == tierra (en la mayoría de los casos)). Por lo tanto, significa que para mantener activado un FET, debe suministrar solo una corriente mínima.

Contraste esto con un transistor normal (bipolar), que necesita una cierta corriente (corriente de colector dividida por el factor de amplificación Beta == del transistor) para ser "encendido". Para una corriente de colector grande, esta corriente de base puede ser significativa, a menudo demasiado para que un pin del microcontrolador se transmita directamente. Y debido a que la resistencia del emisor de base es muy baja (por encima del voltaje de corte de ~ 0,6 V), necesita una resistencia para limitar la corriente de base. Estos dos factores hacen que a menudo sea más fácil conectar un microcontrolador a un FET adecuado que a un transistor bipolar.