En relación con los dispositivos SiCFET de alto voltaje bastante nuevos con voltajes de operación de 1200 V + en paquetes con plomo TO-247 (o variantes de los mismos):
¿Cómo aislar los cables de compuerta, drenaje y fuente (y disipador térmico) entre sí?
¿Se puede asegurar el aislamiento entre los cables incluso sin esfuerzos de aislamiento adicionales (suponiendo que no haya humedad, suciedad o polvo)?
Ejemplo de SiCFET: SCT50N120