DS1822 Sensor de 1 cable, potencia parásita y fuerte circuito de pull-up

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Esta pregunta sería común a cualquier dispositivo de 1 cable parásito de Maxim / Dallas Semiconductor. Tengo un circuito 1-Wire en funcionamiento para un DS1822. El protocolo 1-Wire ha sido modificado en una MCU de 3.3v (mbed lpc1768). Creo que esta pregunta sería pertinente para cualquier microcontrolador utilizado de la misma manera.

Como referencia, he usado la hoja de datos de DS1822 enlace .

Mi circuito 1-Wire usa un único pin digital en la MCU como un pin de drenaje abierto conectado al bus 1-Wire y al pin DQ del DS1822. (El drenaje abierto se gestiona configurando el pin a la salida y configurándolo en bajo para que el bus 1-Wire sea bajo, o configurando el pin digital en una entrada para permitir que una resistencia de 2,2 k tire del bus).

Hasta ahora he accionado el DS1822. Me gustaría implementar el circuito 'Strong Pull-Up' definido en la hoja de datos anterior como se especifica en el circuito en 'POWERING THE DS1822'. El fuerte circuito de recuperación requiere un MOSFET accionado por un segundo pin digital (SPU) en la MCU que puede empujar el bus de 1 cable directamente al riel de 3.3 v durante las operaciones que requieren corriente adicional y un nivel de voltaje sostenido.

La pregunta que tengo específicamente rodea la posibilidad de un cortocircuito. Si implemento el circuito como se muestra en el diagrama, parecería que siempre que mi pin digital (DQ) esté configurado en una entrada, mientras que el segundo pin digital (SPU) habilite el 'Fuerte Pull-Up', entonces se producirá un cortocircuito. no ocurriría

Sin embargo, si mi pin digital (DQ) se establece en una salida y se activa, mientras que el segundo pin digital (SPU) ha habilitado el 'Pull-Up Fuerte', parece que esto crearía un cortocircuito a través del DQ alfiler.

Como solo estoy a nivel de la superficie versado en circuitos, busco la experiencia de este grupo para confirmar que esto es realmente un peligro. Además, me gustaría entender qué se podría hacer para proteger el pin de entrada en este escenario. ¿La adición de una resistencia entre el riel de 3,3 V y el MOSFET aseguraría que el nivel de corriente hundido por el pin digital se mantenga lo suficientemente dentro de los parámetros de las MCU?

Además, ¿cómo se determinaría el MOSFET "correcto" para el trabajo? ¿Qué características debo buscar?

El circuito es impulsado por una MCU de 3.3v y el bus 1-Wire utiliza una resistencia de pull-up de 2.2k.

Gracias, Karl

    
pregunta Karl_34

1 respuesta

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Como se muestra aquí, hay dos cosas que se pueden hacer.

El Pullup Fuerte a través del Mosfet, debe tener una Resistencia Limitadora de Corriente del tamaño apropiado, permitiendo las decenas de miliamperios requeridos. Si esas decenas de miliamperios son más de lo que el pin de su ic puede hundirse, entonces se puede usar una resistencia secundaria en línea (Rt) en la línea, para protección.

La mejor fuente de información con respecto a un cable es, por supuesto, las notas de la aplicación de Maxim-Dallas.

    
respondido por el Passerby

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