Aquí hay una imagen de la variación de una carga de compuerta total de un MOSFET con voltaje en Id = 16A, ¿Alguien puede explicar si aumenta con el voltaje?
Aquí hay una imagen de la variación de una carga de compuerta total de un MOSFET con voltaje en Id = 16A, ¿Alguien puede explicar si aumenta con el voltaje?
Los MOSFET operan en tres regiones distintas: corte, saturación y triodo. La región de operación del MOSFET depende de los voltajes de la fuente de la compuerta y de la fuente de drenaje. La capacitancia de la puerta del MOSFET cambia para cada modo de operación.
Para la región de corte: $$ C_ {gs} = WC_ {ov} $$
Para la región de saturación: $$ C_ {gs} = \ frac {2} {3} WLC_ {ox} + WC_ {ov} $$
Para la región del triodo (profundo): $$ C_ {gs} = \ frac {WLC_ {ox}} {2} + WC_ {ov} $$
La capacitancia es bastante baja en la región de corte, ya que solo contribuye la capacitancia de superposición (el área del dispositivo donde la compuerta se superpone al drenaje y los terminales de la fuente) del MOSFET. En la región de saturación, donde el canal comienza a formarse, la capacitancia aumenta considerablemente, y en la región de tríodo profundo, disminuye, a un valor mayor que el régimen de corte, pero menor que el régimen de saturación. En su gráfica, la derivada de Q con respecto a V, produce el valor de capacitancia. Sin embargo, vale la pena señalar que este cambio en la capacitancia de la puerta no es discontinuo, como muestra su gráfica.
La derivación de estas cifras requiere bastante comprensión en física de dispositivos, mucho más allá de mis capacidades de explicación, pero aquí hay un gran recurso si está interesado: enlace
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