Me gustaría saber si puede haber algún problema cuando las frecuencias altas (500MHz) pasan del emisor al colector en un transistor. Ejemplo: 2N3904 (NPN).
Sé que hay algunos límites con la frecuencia en la base, que cambian el transistor, pero solo quería saber si hay algo que tenga que tener en cuenta al permitir que las altas frecuencias pasen del emisor al colector.
Para "pasar de un emisor a otro", el bipolar se ejecuta en una configuración de base común, que es la forma más rápida de usar un bipolar.
Dado que la base no está muy controlada (el rbb 'se encuentra entre el cableado de la base y la región base real entre el emisor y el colector), esperaría una distorsión significativa de cualquier corriente de sinwave de alta frecuencia.
¿Y conducirás el emisor con un voltaje? o con una corriente?
Cuelgue un inductor del emisor a "gnd" e inyecte mucha corriente base a través de una Rbase de bajo valor. El inductor permite que DC_Ibase se convierta en DC_Iemitter que sale a través del inductor. Ahora inyecte su sinwave de corriente en el emisor, por medio de la tapa 1nanoFarad. [esto supone que su originador actual no necesita una ruta de DC; mejor sería simplemente dejar que cualquier DC_pedestal salga a través de ese Inductor]
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