Adaptación de un atenuador de HF a una potencia mayor

Necesitará una caída de ganancia general de 5 dB, por lo que sus opciones aquí parecen ser las siguientes:

1. OPCIÓN SIMPLEST (y directa): use un atenuador externo de 50 \ $ \ Omega \ $ 5 dB capaz de manejar una potencia de entrada de 8W. Diseñe y cree desde cero utilizando una de las muchas calculadoras en línea disponibles.

2. OPCIÓN SIMPLE (pero no directa): Aumente la atenuación de entrada en 5 dB. Esto significa cambiar los valores de \ $ R_2 \ $, \ $ R_3 \ $, \ $ R_4 \ $ y \ $ R_5 \ $, y también significa cambiar la clasificación de potencia de las resistencias porque disiparán más potencia. El atenuador de entrada también proporciona una coincidencia de impedancia, por lo que debe recalcular estos valores teniendo en cuenta \ $ R_8 \ $ y la impedancia de entrada de la puerta MOSFET (según la hoja de datos: 180 pF a 1 MHz).

3. OPCIÓN COMPLEJA: Reduzca la ganancia del transistor en 5 dB (esta es también una opción más eficiente de energía). Esto se logra cambiando la configuración del potenciómetro P1 para que la tensión de la compuerta MOSFET sea más baja y se reduzca la corriente de polarización. Puede ajustar la ganancia a un ajuste más bajo durante el proceso de ajuste. En este caso, no tiene que cambiar los valores de \ $ R_2 \ $, \ $ R_3 \ $, \ $ R_4 \ $ y \ $ R_5 \ $, pero debe cambiar su calificación de potencia junto con la calificación de potencia de \ $ R_8 \ $ y la calificación actual de \ $ L_1 \ $. También debe verificar que el voltaje de la fuente de la puerta no exceda la tensión nominal de + / 20V de MOSFET. Con una entrada de 8W, esta es una posibilidad muy real y podría significar que esta opción no es factible.

4. AÚN MÁS COMPLEJO (pero posiblemente óptimo) OPCIÓN: una combinación de la opción 2 y 3. Divide la caída de ganancia de 5 dB entre el atenuador de entrada y la ganancia del transistor. >

A modo de referencia: hoja de datos del IRF510 .