Por ejemplo, ¿Se puede diseñar un diodo de silicio para tener una caída de voltaje de polarización directa de 0,4 V o puede ser 0,9 V?
Por ejemplo, ¿Se puede diseñar un diodo de silicio para tener una caída de voltaje de polarización directa de 0,4 V o puede ser 0,9 V?
Sin entrar en la física del estado sólido más de lo que soy competente para: no. Es posible que pueda cambiar el sesgo unos pocos milivoltios de esta manera cambiando el dopaje, pero puede hacerlo más fácilmente cambiando la temperatura o la corriente de polarización. Lea acerca de la ecuación de Shockley: puede usar un diodo para generar logaritmos de esa manera ...
Para obtener un cambio más grande, necesita pasar a un material semiconductor diferente (germanio para aproximadamente 0.2-0.3V, carburo de silicio para voltajes más altos (la memoria débil dice aproximadamente un voltio ...) cualquiera sabe los números para 3-5 compuestos como Ga-As, Ga-InP, etc.?
Finalmente, los diodos Schottky involucran un límite de metal-semiconductor y tienen un voltaje de polarización bastante bajo (alrededor de 0,3 V)
Si se inyecta oro en la unión PN, los operadores minoritarios ganarán velocidad ya costa del mayor potencial (la mayoría de los inversores). (juego de palabras destinado) por ejemplo. 1N914 es dopado con oro.
Los materiales, el dopaje y la geometría de PN afectan cada uno a los voltajes de la unión.
Por ejemplo, el silicio sin dopaje es más bajo que en los diodos PIN, pero el dopaje más no aumenta más allá de los voltajes de silicio estándar. Más ejemplos
La composición parece ser un secreto comercial y para aquellos que necesitan saber.
"Consiste en una parte activa de cada dispositivo y está hecho de silicio monocristalino. Contiene cantidades mínimas, generalmente en niveles de partes por billón (ppb), de elementos dopados como arsénico, fósforo y boro."
Esta referencia en diodos puede ser de ayuda para usted. Y si eso no es suficiente, eche un vistazo a este pdf de Berkley.
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