Sé que es una pregunta de tipo google antes de hacer, pero no encontré la respuesta todavía en google. Luego fui a la biblioteca y recomendé algunos libros pero mis cambios fueron negativo. He buscado más de 20 apéndices de libros.
Hay patentes específicas y no hay una página wiki escrita en difusión superficial.
¿Podrías explicar en forma simple lo que se llama difusión superficial? Quiero decir en general.
--Gracias por adelantado--
En general, la difusión es una de las formas principales en que se realizan cambios de dopaje en regiones seleccionadas en la superficie de una oblea. Un fluido (gas o líquido) que contiene el dopante deseado fluye a través de la superficie, que se enmascara apropiadamente. El tiempo y la temperatura de la oblea determinan la profundidad de la difusión.
Cualquier "proceso" de fabricación particular generalmente involucrará varios pasos de difusión, con los más profundos que se realizan primero y los más superficiales que se realizan al final. Aparte de eso, realmente no hay nada especial acerca de la difusión "superficial".
En los procesos CMOS modernos NO hay pasos de difusión. Se les llama así como una retención histórica, pero el proceso es uno de implante y recocido. Las razones para esto son muchas, pero el impacto principal es que la unión y el perfil de dopaje con profundidad se pueden controlar y se puede profundizar mucho más. En una verdadera difusión, estás atascado con una distribución exponencial de la cola en el Si.
La DIFUSIÓN PUEDE aún ser usada en fábricas muy antiguas que están produciendo BJT discretos (aunque lo harían mejor con un implantador). Pero en CMOS no ha habido hornos de difusión desde que se cambió a obleas de 200 mm, hace 15 años o más.
Con el implante puede tener uniones ultra superficiales de unos pocos nm de espesor a 3u de profundidad con un implantador de 1MeV +.
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