Podría usar un MOSFET de canal P como un interruptor en serie, con su compuerta puesta a tierra por un comparador. Omita el pin de suministro positivo del comparador con un capacitor de 0.1uF a tierra. Proporcione una referencia para la entrada no inversora del comparador con un diodo Zener de 5.6 V y una resistencia limitadora de corriente. Pruebe la fuente de alimentación de CC en la entrada inversora del comaparator. El comparador apagará el MOSFET cuando la entrada aumente por encima de ~ 5.6V.
Este esquema es un ejemplo que utiliza la mitad de un comparador LM393N (1), un diodo Zener 1N5232B y un MOSFET de canal P IRFU5305. Los elementos de potencia y comparador del LM393N se dividen en tres secciones en este esquema; solo preste atención a los números de pin que se relacionan con el paquete 8-DIP.
El MOSFET no disipará más de 260 mW a 2A, por lo que no debería necesitar un disipador de calor si la temperatura ambiente es razonable.
Si usa diferentes componentes, asegúrese de que el voltaje de la fuente de la puerta (Vgs) de su MOSFET esté muy por encima de los 12V, y que su comparador pueda funcionar con un suministro de 5V a más de 12V. Hay muchas opciones en los componentes de montaje en orificio pasante y en superficie.
La disipación de potencia del MOSFET en vatios (W) es igual a la corriente (I) al cuadrado de la resistencia de activación MOSFET (Rdson): W = I x I x Rdson. Utilice el valor máximo de Rdson en la hoja de datos.
El aumento de la temperatura de la unión MOSFET (Tr) sin un disipador térmico es igual a la disipación de potencia (W) por la resistencia térmica de la unión al ambiente (RΦja): Tr = W x RΦja.
La temperatura de la unión MOSFET (Tj) es igual a la temperatura ambiente (Ta) más el aumento de la temperatura de la unión (Tr): Tj = Ta + Tr. Mantenga la temperatura de la unión muy por debajo del máximo de la hoja de datos.
