He visto MOSFET de canal N como interruptores laterales altos de puentes H con bastante frecuencia, lo que requiere una bomba de carga para conducir. ¿No sería más fácil un MOSFET de canal P, simplemente aislando el comando del microcontrolador del voltaje de la fuente de la compuerta? ¿Por qué usar los N canales en lugar de eso?
Los MOSFET de canal P tienden a tener un Rds más alto (activado), lo que los hace menos eficientes (por el mismo precio). Para un pequeño puente en H, la simplicidad de usarlos los hace prácticos
Sin embargo, para aplicaciones de alta potencia, la complejidad adicional de la activación de los FET de canal N se puede justificar con la mejora de la eficiencia a partir de menores Rds (activado).
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