¿Por qué se hace referencia a la temperatura de la matriz de silicona dentro de un dispositivo semiconductor como " Unión " Temperatura?
Aunque este nombre puede tener sentido para dispositivos portadores minoritarios donde hay una pérdida máxima de energía en la unión. Pero para la mayoría de los dispositivos portadores como MOS tiene menos sentido.
Para una corriente dada que fluye a través de cualquier dispositivo, la disipación máxima y la temperatura más alta ocurren donde hay una caída máxima de voltaje.
La palabra 'unión' no solo tiene que aplicarse a las uniones BJT PN, sino que también describe bien la región entre el área de la fuente y el área de drenaje en un FET, que es donde se produce la mayor parte de la caída de tensión inter-terminal . Puedes llamarlo el canal de la puerta si quieres, pero la mayoría de la gente está feliz de llamarlo un cruce.
El punto en cuestión es que es el volumen muy pequeño del dado donde ocurre toda la acción. No es la temperatura del disipador de calor, ni siquiera la temperatura promedio de la matriz. Debido a que es tan pequeño, tiene poca capacidad térmica, y por lo tanto domina las especificaciones de manejo de potencia de un solo impulso corto.
Lea otras preguntas en las etiquetas semiconductors power-electronics solid-state-devices