Modo de falla de la memoria FLASH

La memoria flash se degrada en función del número de ciclos de borrado de escritura a los que está sujeta. Esencialmente, la estructura dieléctrica de la célula de memoria se degrada y se vuelve incapaz de mantener un estado "bajo". (Piense en un MOSFET de canal N: un punto alto en la puerta enciende el dispositivo, lo que hace que la resistencia de la fuente de drenaje sea baja. Si la puerta está dañada, el canal de la fuente de drenaje nunca se puede establecer).

A menudo, existe un mecanismo para "enmascarar" estos bloques defectuosos una vez que se identifican (generalmente por una operación de verificación que falla después de una escritura), lo que impide que se utilicen, una tabla de bloques defectuosos, básicamente.

Consulte aquí y Aquí para más detalles sobre la física de todo esto.

Este es un proyecto diseñado para destruir una EEPROM al escribirle repetidamente: Destructor Flash

Sin embargo, según los comentarios, no es una demostración particularmente buena:

  

Supongo que esta prueba en realidad no mostrará el problema real de manera muy obvia, o debería decir antes. Dado que creo que el verdadero problema es que el tiempo de retención de datos se reducirá con el número de escrituras. Es decir. después de 1 millón de escrituras, almacenará los datos durante varias horas especificadas en la hoja de datos.   Eventualmente, el tiempo de retención de datos será tan corto que verá problemas, pero en la vida real, los problemas con la pérdida de datos ocurrirán mucho antes.

También hice una pregunta similar en SuperUser: ¿Qué sucede cuando un unidad flash se desgasta?

Supongo que si se rompe tu flash, puedes escribirle un valor, pero no lo tomo correctamente. Por ejemplo, es posible que algunos bits ya no puedan bajar, lo que produce un valor diferente.

Algunas unidades flash en PC como SSD tienen controladores que monitorean las partes rotas de los chips flash y guardan los datos en diferentes lugares e informan una disminución en la capacidad. Es como si un disco duro normal tuviera aproximadamente un 0,5% de sectores adicionales cuando algunos resultan ser sectores defectuosos.

Si está hablando en chips EEPROM normales o en memorias que están integradas en MCU o externas, no estoy seguro de que tengan incorporado un sistema de corrección de errores. Puede que solo escriba el valor y no sepa que falla en el doring. .