Controlar el MOSFET desde la salida LBO del regulador de conmutación

Funcionará con 1Mohm y podría usar 10k o 100k sin problemas, PERO tenga en cuenta este escenario: -

La batería baja y apaga la carga. La descarga de la carga inevitablemente hará que la tensión de la batería vuelva a aumentar porque ya no está bajo una condición de carga. Este aumento luego vuelve a habilitar la carga FET y se encuentra en una posible situación problemática. Realmente debería estar "asegurando" la condición de batería baja con un flip-flop PERO ahora estamos tratando de descubrir cómo se resuelve esta situación por sí misma. ¿Qué mecanismo es aceptable para restablecer la energía?

El comparador de batería baja tiene histéresis pero solo es de 10 mV, quizás sea suficiente pero no contaría con eso. Estoy seguro de que la batería podría aumentar (bajo condiciones de carga a sin carga más del 5% y esto sería de 25 mV).

Otra opción es tener una resistencia de la salida de LB a la LBI - esto aumentará la histéresis, pero es una succión y verlo. Habiendo dicho que probablemente funcionará. Necesitará más como una resistencia de 10k en el LBO y posiblemente no más pequeño que 100k como retroalimentación a LBI. Sus resistores normales de LBI tendrán que estar cerca del área de 10k para evitar demasiada histéresis también.

EDITAR después de la divulgación del circuito Q1 no funcionará como lo imaginas: si la fuente estaba conectada a 0V y el drenaje a el extremo negativo de la carga, creo que esto funcionaría. El pull-up de 1Mohm mantendría la carga conectada a través del FET a 0V. Como ahora lo tienes, esto no funcionará. Si está pensando en un interruptor de lado alto (tal vez porque la carga TIENE que estar siempre conectada a tierra), entonces hay una manera pero involucra dos tipos de apuestas en este sentido: -

BUT .....

Reemplace el BC547 con un FET de canal n y deshágase del 10kohm. Ignore el 5.5V, léalo como 5V, se está haciendo tarde aquí y no tuve la perseverancia para corregir completamente el diagrama en pintura. La línea MCU es tu LBO. El FET del lado alto es canal P: elija uno con Rds muy bajo (encendido) y uno que tenga un voltaje de control de puerta de nivel lógico. El canal n es menos estricto: no puede ser un bioplar debido a la alta impedancia que se encuentra en el pin LBO PERO, dado que puede usar un 10kohm (comentarios previos a la edición) podría ser un bipolar (casi ). ¡Apégate a un dispositivo controlado por una puerta lógica de canal n para estar seguro!

Resolví esto cambiando el regulador de refuerzo al TPS61202 , una parte muy similar con UVLO programable por un divisor de resistencia . Las calificaciones de eficiencia similares y los precios más bajos son bonificaciones adicionales.