La fuente y el sustrato de un N-MOSFET están conectados entre sí y polarizados con potencial cero. A pesar de eso, existe una delgada capa de agotamiento. ¿Por qué?
La fuente y el sustrato de un N-MOSFET están conectados entre sí y polarizados con potencial cero. A pesar de eso, existe una delgada capa de agotamiento. ¿Por qué?
Debido a que la fuente tiene dopaje tipo N y el sustrato tiene dopaje tipo P, y juntos forman una unión P-N, o diodo. Incluso sin un potencial externo aplicado, dicha unión forma una capa de agotamiento.
Un MOSFET de modo de mejora se activa al utilizar el campo eléctrico de la puerta para desplazar los portadores de carga de modo que el sustrato inmediatamente debajo (el canal) se convierta temporalmente en tipo N (tiene un exceso de electrones), creando un camino conductor entre La fuente y el drenaje.
Lea otras preguntas en las etiquetas transistors mosfet nmos