¿Alguna forma de usar Mosfet de canal N en la configuración de canal P?

Como dice Olin, la definición de ENCENDIDO puede significar algunas cosas; por ejemplo, ¿te refieres a la corriente que fluye del drenaje a la fuente? ¿O un voltaje "alto" en el drenaje en una configuración de fuente común?

Si te refieres a una forma de desactivar un MOSFET N-ch cuando se aplica un voltaje positivo en relación con la fuente a la compuerta, la respuesta es no, no hay nada "inteligente" que se pueda hacer.

Sin embargo, hay un par de opciones dependiendo de lo que debe hacer:

Si se trata de una señal de voltaje que desea controlar una carga (por ejemplo, la ganancia de corriente necesaria), una forma sencilla de lograrlo sería colocar otro MOSFET de drenaje común de N-ch delante de él para invertir la señal, para ejemplo algo como esto:

Silagananciaactualnoesimportante,perodeseacambiarunvoltajemayor,entoncesunaconfiguraciónde puerta común podría ser utilizado:

Simulación:

Lamentablemente, no, ya que parece que está utilizando un modo de mejora NMOS.

Potential solutions:
1.Use a depletion mode NMOS
2.Use a second nmos to create a not gate (or just use a not gate if you have one)
3.Use a PMOS as you yourself suggested (probably will be trickier because of the body diode)

Los diagramas mencionados por otras respuestas en esta página donde se usa una resistencia pueden distorsionar significativamente su señal. La resistencia reducirá la velocidad de carga de las puertas FET, lo que suavizará el borde delantero de su señal invertida. El uso de un inversor real o 555 inversor "cuadrada" de la onda para mantener bordes afilados / duros agradables.

Una solución que vale la pena mencionar es usar el confiable 555 IC como inversor. Vaya al final de esta página para ver el 555 cableado como un inversor:

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