pregunta MOSFET

Si quiere decir que la puerta se deja abierta, entonces sí, la pieza podría estar dañada.

Cuando la puerta se deja flotando, puede obtener un \ $ V _ {\ text {gs}} \ $ suficientemente alto para activarse. Si la fuente de \ $ V _ {\ text {ds}} \ $ tiene suficiente corriente, el FET podría estar dañado. Algunos FET tienen una proporción de \ $ C _ {\ text {gs}} \ $ a \ $ C _ {\ text {dg}} \ $ que al aplicar un voltaje al drenaje con la puerta abierta se activará el FET.

La respuesta corta es, no, si no estás violando la especificación de la hoja de datos de 400V, estarás bien.

La respuesta larga sigue siendo no, pero la razón es interesante. Si entiendes cómo se hacen los MOSFET, te das cuenta de que la EOS (sobrecarga eléctrica) en la puerta es quizás su aspecto más sensible. Como la Fuente y el Drenaje están cerca del canal controlado por la compuerta, solo tiene sentido que si el voltaje de la compuerta es demasiado alto / bajo con respecto a la Fuente o Drenaje, entonces la magnitud del campo eléctrico de la Puerta / canal será demasiado alto y eso hace que el óxido de la Puerta se rompa.

La razón por la que este dispositivo puede manejar el voltaje más alto en el Drain es que se trata de una variante MOSFET denominada transistor DMOS: MOS de doble difusión o quizás MOS difusa (depende de la compañía). Lo que realmente es importante es que la estructura de drenaje ha sido diseñada para evitar que los campos eléctricos de alto drenaje / entrada eviten la EOS.

Por lo tanto, en uso, puede tener un voltaje S / D muy alto y el Óxido de la Puerta estará bien siempre y cuando no retire la Puerta de la Fuente a +/- 20 V. Si lo decide tontamente que este es un dispositivo simétrico lo mataras

No debes permitir que la compuerta flote a voltajes arbitrarios de manera que salga a ese rango de +/- 20V.