Estoy construyendo un registrador de datos alimentado por batería que se comunicará mediante la señal celular, basado en el microcontrolador ATSAMD21 y el módem celular SIM5320. Para ahorrar energía, un temporizador externo enciende y apaga periódicamente el microcontrolador (no se muestra) y el microcontrolador debe poder encender el módem. Cuando el microcontrolador está apagado, el módem también debe estar apagado.
Implementé esto como se muestra en el esquema a continuación, utilizando una salida de microcontrolador para cambiar la alimentación al módem a través de un P-MOSFET. Esta parte funciona perfectamente.
También agregué una resistencia pullup de 100k a la puerta, que esperaba mantuviera apagado el P_MOSFET cuando el microcontrolador está apagado. Esta parte NO funciona: cuando el microcontrolador está apagado, el voltaje de la compuerta cae a ~ 0.8 V y la energía llega al módem. Intenté usar diferentes resistores pullup, pero incluso a 100 ohmios, el voltaje de la puerta aumenta a ~ 3V y el P-MOSFET todavía está encendido.
Preguntas:
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Me parece que 'algo' está impulsando el voltaje de la compuerta hacia GND, pero ¿qué es? ¿Dónde me equivoqué?
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Si el voltaje de la puerta es superior a ~ 2V, el microcontrolador se enciende. ¿En realidad está consumiendo energía a través de un pin de entrada / salida analógica?
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En su lugar, puede ser más sencillo utilizar un N-MOSFET, pero no estoy seguro de cómo funcionaría si el SIM5320 IC está conectado a un 'GND' que está a unos pocos mV por encima del suelo real debido a Resistencia mosfet. ¿Podría un N-MOSFET trabajar aquí? ¿Cuáles son las mejores formas de diseñar este circuito?
