Esto es transistor como un interruptor. Utilicé el transistor KSP2222A. ¡Cómo calcular las resistencias! Gracias por cualquier ayuda.
Esto es transistor como un interruptor. Utilicé el transistor KSP2222A. ¡Cómo calcular las resistencias! Gracias por cualquier ayuda.
Dado que la unión colector-a-emisor del transistor estará en corte y el LED estará encendido cuando SW1 esté abierto, R2 debe tener un tamaño tal que, con la corriente directa a través del LED, R2 descargue la diferencia entre la tensión de alimentación y El voltaje directo del LED cuando SW1 está abierto. Usando la ley de Ohm, el cálculo es así:
$$ Rs = \ frac {Vs - Vled} {Iled} $$
donde Rs es la resistencia de la resistencia de balasto (R2), Vs es la tensión de alimentación, Vled es la tensión directa del LED e Iled es la corriente directa de la LED.
Luego, suponiendo que un LED blanco caiga 3.5 voltios con una corriente directa de 20 miliamperios a través de él, podemos escribir:
$$ Rs = \ frac {Vs - Vled} {Iled} = \ frac {9V - 3.5V} {0.02A} = 275 \ text {ohms} $$
Por otra parte, con SW1 cerrado, el transistor se pondrá en ON, y la corriente que de otro modo habría pasado a través del LED se desviará a tierra a través de la unión colector-a-emisor del transistor, apagando el LED.
Para encender el transistor, la corriente debe ser forzada a través de su unión de base a emisor, esa corriente depende de la ganancia de corriente (beta) del transistor y la corriente a través de su unión colector-a-emisor.
Para muchas aplicaciones de conmutación, la versión beta se fuerza a 10, lo que significa que no importa cuál sea la ganancia nativa del transistor, la corriente en la base se convierte en una décima parte de la corriente del colector.
En este caso, entonces, con 20 miliamperios de corriente de colector y una beta forzada de 10, la corriente base debería ser de 2 miliamperios.
La unión de base a emisor de un 2N2222 parece un diodo, por lo que caerá aproximadamente 0.7 voltios con la corriente a través de él y, con un voltaje de suministro de 9 voltios, R1 debe caer aproximadamente 8.3 voltios con 2 miliamperios a través y el diodo de base a emisor del transistor.
Nuevamente volviendo a la ley de Ohm, podemos escribir:
$$ R1 = \ frac {Vs - Vbe} {Ib} = \ frac {9V -0.7V} {0.002A} = 4150 \ text {ohms} $$
Ni la resistencia de balasto ni la resistencia de base son tan críticas, y el valor E24 más cercano estaría bien.
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