En realidad, me confunden con la movilidad de electrones y amp; su papel en la decisión de un material para alguna aplicación en particular.
En realidad, me confunden con la movilidad de electrones y amp; su papel en la decisión de un material para alguna aplicación en particular.
Solo el germanio produce algunos dispositivos bastante pobres. Fue el material original utilizado para los transistores principalmente porque es más fácil trabajar con él que con Silicon.
La mezcla de silicio y germanio en una heteroestructura PUEDE ser útil para dispositivos de alta velocidad porque aumenta la tensión en el dispositivo. En algunos casos, la adición de tensión en formas específicas puede acelerar el cambio.
Los dispositivos de mayor velocidad utilizan semiconductores compuestos como GaAs e InP. Tienen una movilidad de electrones mucho más alta por lo que pueden operar a velocidades más altas. Es difícil trabajar con estos materiales y tienen una densidad de defectos mucho mayor que la del silicio, por lo que el nivel de integración es mucho menor. Por lo general, se ven circuitos pequeños y rápidos hechos con ellos, como preamplificadores, TIA, controladores y registros utilizados para aplicaciones de comunicaciones de alta velocidad. Los materiales III-V también son buenos para el manejo de potencia, por lo que puedes ver muchos amplificadores de potencia GaAs en dispositivos móviles.
Tenga en cuenta que a medida que Silicon escala, se vuelve más rápido y se hace cargo continuamente de dominios que anteriormente eran el dominio de los dispositivos III-V.
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