tiene un VCE demasiado bajo en un fototransistor de infrarrojos

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Utilicé un diodo emisor de luz infrarroja QED123 (VF = 1.7V) y un fototransistor de infrarrojos < a href="http://www.fairchildsemi.com/ds/QS/QSD123.pdf"> QSD123 en par. Aprendí de la hoja de datos de QSD123 que su VCE (SAT) bajo IC = 0.5mA es 0.4V máx. Pero el VCE que medí con un multímetro es de aproximadamente 0.05 V ... Aquí está mi esquema:

Pongoelledyeltransistorcaraacaraasí: Entonces, VCE es solo voltaje en OUT1 ... ya sea 0.05V es VCE (SAT) o solo VCE, ¿es demasiado bajo para un transistor? El IC I medido es de aproximadamente 1.01mA.

También encontré un artículo sobre VCE (SAT):

  

Foto-transistor: Voltaje de saturación del colector: VCE (sat) (V)

     

Voltaje del colector al emisor en relación con una corriente de colector prescrita (IC) del fototransistor en el lado receptor de luz, cuando una corriente directa prescrita (IF) fluye a través del LED en el lado emisor de luz.   Dado que este voltaje cambia mucho dependiendo de la corriente directa (IF), la corriente del colector (IC) y también las variaciones individuales en la relación de transferencia de corriente (CTR) y su degradación, los valores de la corriente directa y la corriente del colector deben diseñarse tomando en cuenta estos factores. consideración cuidadosa.

El artículo dice que el VCE (SAT) depende en gran medida de la IF ... Pero todavía no tengo ningún sentido con el 0.05V VCE. ¿Mi medición es incorrecta o tengo una mala comprensión acerca de VCE (SAT) ...

Se desea una respuesta, gracias :)

    
pregunta iouzzr

1 respuesta

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Uh, cuando dicen \ $ {V} _ {CE} \ $ max significan el peor de los casos (p. ej., más grande ) caída de voltaje del colector-emisor, no la más pequeña.

Básicamente, garantizan que el voltaje del colector-emisor siempre será menos y luego 0.4V cuando el dispositivo esté saturado.

    
respondido por el Connor Wolf

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