¿Qué significa "no masivo" en MOSFET?

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La tercera y cuarta columna en la imagen de abajo (de wikipedia) dice "mejora, sin volumen". ¿Qué significa "sin volumen"?

    
pregunta radagast

2 respuestas

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Uno tiene que tener cuidado cuando se trata de Wikipedia como lo demuestran incluso los símbolos que se muestran arriba. Si bien no hay "estándares" que sean aceptados comúnmente, cada grupo de diseño generalmente adopta sus propios símbolos, los elementos de los símbolos tienen algún significado. En particular, la línea de puntos para el canal muestra una mejora (es decir, el canal está "roto" antes de su uso. Los dispositivos en modo de agotamiento tienen una línea continua porque el canal existe antes de que se aplique la alimentación. Los símbolos anteriores NO aplican esta regla de manera uniforme ...

Hay una cierta clase de dispositivo que en realidad no tiene conexiones masivas. Se denominan FD-SOI CMOS (completamente agotado - Silicon On Insulator). Se caracterizan por una capa de Si que es tan delgada que la capa de agotamiento de la formación del canal se extiende a lo largo de su profundidad. La conexión de volumen / cuerpo desaparece, pero el volumen / cuerpo sigue allí cuando el dispositivo está apagado. Pero el efecto de su falta de conexión se minimiza (aunque se nota en las características del transistor).

En todos los demás casos, la conexión masiva está ahí, pero no se muestra simplemente como una forma abreviada de dibujar rápidamente o tener diagramas menos abarrotados. Por lo general, en ese caso se entiende cuál debe ser la conexión masiva.

En el caso de FET individuales (como Power Fets y HexFets), el volumen se conecta a la fuente en el paquete para minimizar el número de clientes potenciales. Esto se puede hacer simplemente porque cada dado reside en un dado individual. Cuando tiene varios transistores en el mismo sustrato que está conectado eléctricamente, uno siempre debe mostrar el volumen en diseños detallados.

    
respondido por el placeholder
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Significan que el electrodo "A granel" se omite del símbolo del transistor.

Este enfoque simplifica los símbolos, pero se puede usar solo cuando no hay ambigüedad en cuanto al potencial del volumen. Sé de dos convenciones donde estos símbolos son bastante útiles (y simplifican los esquemas):

  1. Los bultos de todos los transistores están conectados al mismo potencial.
  2. Los bultos de todos los transistores están conectados internamente a las fuentes de los transistores.

El primer enfoque generalmente se adopta en VLSI: todos los transistores se implementan en la misma capa de silicio, y el potencial de esta capa es común para todos ellos.

He oído que el segundo enfoque generalmente se adopta en los FET de potencia vertical.

    
respondido por el Vasiliy

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