Transistor en modo de saturación

En un transistor ideal (por ejemplo, las partes Vce (sat) ultra bajas de Diodes Inc están cerca de lo ideal pero más $$)) Vbe = Vcb y ambas están saturadas a medida que fluyen las cargas entre CE con un hFe reducido de aproximadamente 10% a 25% ..

• es decir, La proporción Ic: Ib de 50: 1 o 10: 1 se usa normalmente en muchas especificaciones para estos tipos, de lo contrario, es típico 10: 1.

• El ejemplo a continuación tiene un hFE de 300 ~ 900, pero Vce (sat) se da para 10: 1, aunque muchos usan diseños con 50: 1 a corriente reducida.

  Entonces, Rce es solo un valor R masivo lineal con muy poco desplazamiento (< 0.1) entre Vbe-Vbe y los valores de Rce de 10 ~ 1000mOhms son posibles. nótese bien Consulte la herramienta de búsqueda de diodes inc para seleccionar un parámetro en un bipolar discreto.

De lo contrario, todos los demás tienen un aumento de voltaje efectivo compensado + Rce en Vce

déjame encontrar algunos ejemplos de Diodes Inc

200mOhms = Rce

Note la Fig. 7 Rce cuando se opera a una corriente de moderada a alta, Rce es bastante constante.

No estoy seguro de qué hacer con la respuesta de Tony. Pero no estoy seguro de que responda a tu pregunta, como la preguntaste.

Eche un vistazo a la siguiente disposición BJT plana lateral:

(Tenga en cuenta que la saturación no es algo que no esté determinado por la física del dispositivo en sí, sino que también lo esté por el circuito circundante. Y también tenga en cuenta que los BJT funcionan en función de las corrientes minoritarias y mayoritarias , a pesar del hecho de que no voy a complicar demasiado esto al incluir ambos. Voy a describir esto más como un tubo de vacío que como un BJT, para entender mejor el tema.)

Normalmente, el colector NPN es mucho más positivo que el emisor y la base es solo un poco más positiva. Así que creo que se puede ver que los electrones emitidos por el emisor se acelerarían hacia la región del colector y menos a la base. Pero como el colector es conducido a voltajes cada vez menos positivos, esta fuerza de aceleración también disminuye. En algún momento, la base es en realidad más positiva que el colector (y el transistor ahora se vuelve saturado ). Pero los electrones acelerados todavía alcanzarán el colector. Pero con la base mucho más positiva, también puedes ver que la base tirará más electrones hacia ella que antes.

Es una simplificación burda. Y me disculpo por eso. Pero puede ser una forma de tener en cuenta por qué el colector aún recolecta la mayoría de los electrones. Además, la base tiende a estar ligeramente dopada (mayor resistencia, menores velocidades de deriva medias), también. En cualquier caso, tal vez esto ayuda. Pero también tenga en cuenta que la saturación es causada por el circuito circundante y que no es solo la física interna del dispositivo la que la define. Es cuando el colector se acciona de manera que la unión base-colector está sesgada hacia adelante, sin embargo, se puede lograr.