Calcular los valores de resistencia para un amplificador

• Deje que Ve = Vce / 2 = 5V con un giro de ~ 9Vpp posible, por lo tanto, Re = 5 / 10m = 0.5k = 500 Ω

• Como comprobación, la resistencia del emisor siempre debe ser menor que la ruta de carga de CA R utilizada como salida,

  • que para 10 mA, cumple con este requisito de 500 < (100 + 2200)
  • Esto es lo mismo que decir que la corriente de polarización de CC siempre debe ser mayor que la corriente de carga de CA máxima. .

• hay varios enfoques para resolver esto si permitimos que Rb = hFe * Re para DC sesgue esto

  • cuando Rb coincide con la impedancia de CC de entrada="Rinput" = hFE * Re, tenemos un divisor de voltaje del 50%, por lo tanto, Rb = 600 * 500 = 300 kΩ como una estimación bruta.

• pero para Ib = Ic / hFE = 10mA / 600 = 16.7 uA, esperamos Vbe = 0.65V

  • Vbe vs Ib depende de las clasificaciones actuales máximas de I y, por lo tanto, del tamaño del chip a granel
  • Pero sabemos que esta Vb debe ser Vbe drop plus Ve = 5V, así que hagamos una suposición
  • deje Rb = V (Rb) / (Ib = Ic / hFE) = ((10V - 5V - 0.65) / 10mA) * 600
  • Rb = 4.35 / 10mA * 600 = 261 kΩ o ligeramente por debajo de la estimación anterior

• con la validación de la prueba, debe esperar un cambio de 9Vpp posible.

• tenga en cuenta que el punto de operación es directamente proporcional a la tolerancia hFE

Para un swing de salida simétrico, con una fuente de alimentación de 10 V, ¿qué debe ser Ve?

Entonces Ic es 10mA y beta es grande, por lo que es igual a Ic, por lo tanto, según la ley de ohmios Re = Ve / Ie, ¿qué da?

Ib = Ie / beta y Vbe es aproximadamente 0.7V para un transistor de silicio, entonces Vb = Ve + 0.7V. Voltaje en Rb = 10 - Vb, y sabemos que Ib así que la ley de ohmios encuentra fácilmente Rb.

Es solo la forma en que un amplificador realmente pobre, ya que el sesgo depende en gran medida de la versión beta y está muy mal definido en un BJT.