Soy nuevo en este campo, por eso estoy tratando de encontrar el valor de la resistencia de detección de corriente para monitorear la corriente de drenaje de MOSEFT que se usa en esta imagen. como una carga electrónica, la corriente del dispositivo bajo prueba debe ser controlada y rastreada en base a la referencia. ¿Cómo puedo calcular el valor de esta resistencia de sentido? y también es necesario tener una vista para seleccionar los amplificadores?
El valor máximo de la resistencia estará determinado por el cumplimiento requerido del sumidero de corriente, que es el voltaje mínimo * corriente a la que se espera que funcione el sumidero. Si asumimos que el MOSFET funcionará bien hasta (digamos) 1 voltio incluso a la temperatura más alta anticipada, entonces el sumidero de corriente funcionará hasta Rsense * I + 1V. Entonces, si desea que se hunda 1A y trabaje hasta 1.8V, la resistencia de detección no debe tener un valor superior a 0.8 ohmios.
El valor mínimo de la resistencia estará determinado por la precisión requerida y las características del amplificador operacional. Por ejemplo, si un error de 2 mA es aceptable y el amplificador operacional tiene una temperatura excesiva de VOS de 1 mV, entonces la resistencia no puede ser inferior a 0,5 ohmios.
Dentro de ese rango, probablemente estará limitado por los valores estándar (y sus combinaciones).
La disipación de potencia máxima de la resistencia se puede calcular fácilmente a partir de la corriente máxima - P = I ^ 2R. Es una buena idea reducir la resistencia (especifique uno con una capacidad más alta que la estrictamente requerida) para mejorar la precisión.
Este circuito es propenso a la inestabilidad, por lo que debe elegir un solo amplificador operacional de suministro que tenga una alta capacidad de unidad capacitiva y / o agregar compensación.
El cálculo realmente depende de la potencia en vatios de la resistencia que se seleccionará. Cuanto mayor sea la resistencia, mayor será la precisión que se puede lograr, especialmente con valores de corriente bajos. El inconveniente de una mayor resistencia es más calor a altos valores de corriente. Por ejemplo, a la corriente máxima de 4A y una resistencia de 1ohm, el vataje es de 16W. Eso es mucho calor para disipar. Lo más probable es que el valor que establezca sea mucho menor que un ohmio. Nota al margen, considere colocar muchas resistencias idénticas en paralelo para compartir la carga.
En lo que respecta a los Opamps, lo único que se debe tener en cuenta es asegurarse de que sean capaces de bajar a tierra en la salida cuando se usa con una única fuente.
Si usas una resistencia de 1 ohmio, desperdicias 16 vatios, como se dijo antes. Pero su potencia va en el FET lineal único, por lo que el calentamiento total es el mismo .70 voltios a 4 amp significa 280 vatios, lo que significará MUCHOS mosquitos en paralelo O en una configuración de código de serie. Así que su resistencia propuesta de 1 ohmio tendrá múltiples resistencias en paralelo, tal vez 8 resistencias de 8 ohmios. ¡AHORA hay un obstáculo horrible! Los nuevos mosfets en modo lineal deben reducirse significativamente. Puede usar costosos FET laterales o usar dispositivos VDS más altos de lo necesario, diga 500 V y use la generación anterior si puede, y ejecute las apuestas en serie. Finalmente, preste atención a las advertencias sobre estabilidad de spehro . He visto este circuito en 1992 y observé con alegría a las personas en una empresa líder mundial que lucharon con él y nunca lo hicieron del todo bien.
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