Mi pregunta es si tuviera una disposición, en lugar de un transistor npn, una unión ipn donde a i es neutral, p es semiconductor de tipo p y n es semiconductor de tipo n, ¿cuál sería el diagrama de la banda de energía? (en lugar del npn del colector de la base del emisor, tengo un ipn que yo es neutral).
Supongo que esto está relacionado con la tarea, así que no lo voy a dibujar. Sin embargo, debería poder dibujar la estructura de la banda en el papel, es relativamente fácil tener una idea aproximada. Los pasos son:
Primero dibuje sus tres regiones en masa: una parte intrínseca, una parte de tipo p y una parte de tipo n. Asegúrate de dibujar los tres para que el espacio entre bandas sea el mismo (después de todo es el mismo material) y para que los niveles de Fermi se alineen. Deje también un espacio de un centímetro en su papel entre cada uno.
Debes saber cómo se mueve el nivel de Fermi con el dopaje, en comparación con el intrínseco donde se encuentra en algún lugar cerca del medio, en el tipo n se acerca a la banda de conducción y en el tipo p se acerca a la banda de valencia
Puedes dibujar una línea recta para unir todos los niveles de Fermi. Esto representa el nivel de Fermi en toda la estructura, que permanecerá constante.
Une tu tipo intrínseco y p para que el nivel de vacío en el tipo p se incline hacia abajo y el nivel intrínseco suba. Ambos se doblan en una curva gradual para encontrarse en el medio.
Dibuja todos los otros bordes de la banda para permanecer paralelos entre sí (todos se encontrarán como lo hizo el nivel de vacío).
Repita (3) y (4) para la unión p-n.
Ahora tienes un dibujo aproximado de tu diagrama de banda.
Si lo comparas con el diagrama de banda de un transistor NPN, deberías notar algo interesante.
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