Después de hacer una búsqueda en mouser, encontré solo 4 JFET clasificados para más de 1A de corriente de drenaje, en comparación con casi 3,000 BJT y 11,000 MOSFET. ¿Esto se debe a que hay menos mercado para un JFET de alta corriente / alta potencia que MOSFET / BJT, o existe alguna limitación física que dificulta la fabricación de un JFET de alta corriente?
¿Por qué no hay JFET de potencia?
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pregunta C_Elegans
2 respuestas
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Para controlar un JFET de canal N, debe tomar la puerta negativa con respecto a la fuente y esto es útil en muchas aplicaciones de señal, pero no es muy conveniente en aplicaciones de energía: -
Imagentomadadesde
Entonces, con la fuente de la puerta a 0 voltios, obtienes una conducción total y, con la puerta en negativo con respecto a la fuente, controlas la corriente de drenaje.
A nadie realmente le gusta hacer eso en aplicaciones de energía porque significa tener un riel de energía negativo y esto es un inconveniente. Sin embargo, hay algunos MOSFET de potencia con este tipo de características: busque los MOSFET en modo de agotamiento. Estos serían preferibles a los JFET en aplicaciones de potencia, por lo tanto, ¿por qué molestarse en diseñar un JFET de potencia?
respondido por el Andy aka
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Cuando trabajé para National a principios de los 70, produjimos muestras de un JFET de potencia de canal N. Como recuerdo, estas eran secciones de una oblea estándar 2N3819 con una capa de interconexión, y tenían como 25 dispositivos en paralelo montados en un paquete TO-3. El mercado previsto era principalmente de fabricantes de alta fidelidad, pero la falta de un dispositivo de canal P complementario era un inconveniente, y Marketing abandonó la idea.
respondido por el
henros
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