Aquí tengo un transistor de canal P (Q1) y dos transistores de canal N (Q2 y Q3). Me gustaría saber más sobre las resistencias (R1 y R2) en paralelo con estos MOSFET.
¿Son estas resistencias las resistencias de pull-up y pull-down? ¿O tienen algo que ver con el valor de la tensión de VGS de estos MOSFET, para permitir que los MOSFET actúen como un interruptor?
Son resistencias pullup / pulldown que aseguran que las compuertas tomen el voltaje correcto en ausencia de cualquier entrada.
La puerta de un MOSFET es básicamente un condensador. Al presionar el botón ENCENDIDO en este esquema, se carga la puerta de Q3 con respecto a la fuente y se enciende. Cuando se suelta el botón, la puerta se descarga a través de R3 y desactiva Q3 nuevamente. Sin R3, la puerta simplemente se mantendría cargada y la Q3 se mantendría activada.
Lo mismo sucede con Q1 y R1: activar Q2 o Q3 activa Q1, y R1 garantiza que cuando Q2 y Q3 se desactivan, Q1 también se desactiva.
Suponiendo que las puertas se accionen con una impedancia lo suficientemente baja, las resistencias no tienen efecto en el valor de Vgs.
Sí. Se aseguran de que la entrada de la puerta de mosfet / transistor esté en un nivel lógico válido. Aquí R2 es derriba la puerta de Q2 - > '0' y R1 abre la puerta de Q1 --- > '1'. Sin estos, se dice que las entradas están 'flotando'. Las entradas flotantes pueden captar ruido y provocar transiciones impredecibles en la salida.
Esencialmente son pull ups / downs. Mantienen la puerta a un potencial fijo en lugar de flotar, por lo que la carga no se acumula y enciende incorrectamente el MOSFET.
Si2365EDS es un conmutador PFET de nivel lógico Ron muy bajo, Q1.
PB2 es un pulsador momentáneo para encender Q3 y Q1.
Luego, PB0 puede ser alto para enclavarse en Q1 como NOR lógico.
Los valores R pueden ser altos ya que el tiempo de apagado no es importante. T = R * Ciss
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