Estoy trabajando en un diseño que utilizará un BJT para cambiar 2 puertas PMOS bajas para alimentar 2 cargas separadas. Voy a conducir el transistor desde una puerta NOR.
Desde la hoja de datos de mis transistores, pensé que podría extrapolar los gráficos de ganancia actuales suponiendo que son el peor de los casos. En mi situación:
Ib ~ = (5 - 0.7) / 1000 = 4.3 mA (5 V desde la compuerta NOR, 0.7 Vbe drop, resistencia 1k)
Ic ~ = 12/10000 = 1.2 mA
Sinembargo,despuésdeprobarunpardecopiasdemiPCB,estoyviendoresultadosmuydiferentesencadaplaca...Cosascomoqueelvoltajeenlabasevaríade0.6a4V,etc.Elvoltajeenelcolectoravecestambiénfuncionacomoespero(~0V)y,aveces,eseltotalde12VcomosielBJTestuvieracompletamenteapagado.
Editar(2016-06-28)aquíestánlosdiferentesvaloresVbeyVceparaelBJT:
Definitivamente,parecequehayunproblemadefabricaciónountransistorquemado.Seguiréinvestigando.
Findeedición
¿Nopodemosextrapolarlosgráficos?Cualquierideaseríaapreciada.Alternativamente,mepreguntosifueunproblemadefabricación/ensamblajedePCB.
Circuito:
simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab
Puerta NOR: enlace
BJT: enlace