compare mosfet de alta potencia para carga de alta potencia

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He estado buscando en Mosfet un proyecto de carga de alta potencia (DC 110V 100 Amp) y encontré Fairchild FDL100N50F (TO-264) con una disipación de potencia máxima de 2500W. De acuerdo con la hoja de datos, el valor máximo de SOA DC (continuo no de pulso) a 100v es aproximadamente 20A, mi pregunta es que, considerando el paquete / dimensión, es realmente seguro aplicar 100v a 20 amperios, ¿realmente necesito Mosfet en el paquete SOT-227? como IXFN82N60P que sorprendentemente (para mí) tiene menos disipación de potencia máxima a 1040 W.

Gracias por su respuesta, y perdone mi inglés

    
pregunta Saduloh

2 respuestas

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La pregunta es, ¿puede mantener el FET dentro de su rango SOA?

¡El paquete por sí mismo no importa! Lo que importa es, ¿puede mantener la unión del FET por debajo de una cierta temperatura para que permanezca en la SOA? Siempre es más fácil repartir la carga entre tantos FET como sea posible para mantener las cosas frescas.

Además, estos FET están diseñados para el cambio, por lo que Rds es lo más alto o más bajo posible. Es posible que tengan un desempeño terrible cuando intentas mantenerlos en un Rds predeterminado debido a su alto K (Ids / Vgs). Tenga en cuenta que el K que acabo de mencionar no se menciona en la hoja de datos (de todos modos para el Fairchild) !!!!

    
respondido por el Bimpelrekkie
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La hoja de datos dice que es (solo) seguro. Si crees en la hoja de datos, es. La evidencia anecodótica que tengo es que las curvas SOA para MOSFET se calculan y pueden estar en el lado equivocado, por lo que no me sorprendería si el MOSFET fallara de manera catastrófica en esas condiciones.

Además, 2500W es una especie de máximo teórico con el caso mantenido a 25 ° C. A menos que esté corriendo agua fría a través del disipador térmico (es factible, pero costoso (sobre un enfriador de 1HP) es poco probable que logre eso con 2500W saliendo de la caja.

    
respondido por el Spehro Pefhany

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